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onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2456987
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NXH450B100H4Q2F2SG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
onsemi transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 101 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 2
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
101 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1000 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Anzahl an Transistoren:
2
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2456987, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, onsemi, NXH450B100H4Q2F2SG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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