| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 822EL-2486667 Herst.-Nr.: IMW120R014M1HXKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 127 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 127 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2486667, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMW120R014M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |