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Infineon IMBG65R048M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin TO-263-7

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
822EL-2489316

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IMBG65R048M1HXTMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	45 A
Drain-Source-Spannung max.:	650 V
Gehäusegröße:	TO-263-7
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	7
Anzahl der Elemente pro Chip:	1

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: 2489316, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMBG65R048M1HXTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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