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Infineon IGBT ±20V max., 600 V PG-TO252-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2581000
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKD06N60RC2ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt infineon
igbt
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = PG-TO252-3
Weitere Informationen:
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Gehäusegröße:
PG-TO252-3
Weitere Suchbegriffe: 2581000, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKD06N60RC2ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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