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Infineon IGBT-Transistormodul / 95 A ±20V max., 650 V 275 W ACEPACK 2


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2591503
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS75R07W2E3B11ABOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt infineon
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 95 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 275 W
Gehäusegröße = ACEPACK 2
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
95 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
275 W
Gehäusegröße:
ACEPACK 2
Weitere Suchbegriffe: 2591503, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FS75R07W2E3B11ABOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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