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STMicroelectronics IGBT / 80 A 20V max., 1,65 V 535 W, 3-Pin TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2615072
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGWA80H65DFBAG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1,65 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 535 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1,65 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
535 W
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: 2615072, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGWA80H65DFBAG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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