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Infineon IPB013N06NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin PG-TO263-3


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2625846
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB013N06NF2SATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 190 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PG-TO263-3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
190 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
PG-TO263-3
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: 2625846, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB013N06NF2SATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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