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| Artikel-Nr.:
822EL-2663875 Herst.-Nr.:
RX3R10BBHC16 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 105 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 105 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2663875, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RX3R10BBHC16, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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