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Infineon IPB65R660CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A, 3-Pin TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2732999
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB65R660CFDAATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
17 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-263
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: mosfet 17a, 2732999, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB65R660CFDAATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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