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Infineon IGBT-Modul / 650 A +/-20V max., 150 V 335 W Modul


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2737364
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     F3L150R07W2E3B11BOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 650 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 335 W
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Tafelmontage
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
650 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
150 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
335 W
Gehäusegröße:
Modul
Montage-Typ:
Tafelmontage
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2737364, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, F3L150R07W2E3B11BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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