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| Artikel-Nr.:
822EL-3257619 Herst.-Nr.:
RFD14N05LSM EAN/GTIN:
5059042635133 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 25 nC @ 5 V, 40 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 14 A | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 48 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 25 nC @ 5 V, 40 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 3257619, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, RFD14N05LSM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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