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| Artikel-Nr.:
822EL-398423 Herst.-Nr.:
TSM2302CX RFG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Verlustleistung max. = 900 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 0.95mm
N-Kanal Leistungs-MOSFET, Taiwan Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 900 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 0.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 398423, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Taiwan Semiconductor, TSM2302CXRFG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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