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| Artikel-Nr.:
822EL-4368091 Herst.-Nr.:
BSS84,215 EAN/GTIN:
5059041908900 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 130 mA
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 250 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -65 °C
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 130 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 250 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 4368091, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSS84,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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