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| Artikel-Nr.:
822EL-463117 Herst.-Nr.:
BSP52T1G EAN/GTIN:
5059042516470 |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3 + Tab
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 1000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,9 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,3 V
Betriebstemperatur min. = -65 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 + Tab | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 1000 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,9 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 90 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,3 V | Betriebstemperatur min.: | -65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: transistor npn 80v, smd transistor, smd-transistor npn, 463117, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, BSP52T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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