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| Artikel-Nr.:
822EL-4842707 Herst.-Nr.:
BST52,115 EAN/GTIN:
5059043343167 |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = UPAK
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 1000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,9 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,3 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 0.00005mA
Höhe = 1.6mm
Darlington-Transistoren, Nexperia Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | UPAK | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 1000 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,9 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 90 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,3 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | 0.00005mA | Höhe: | 1.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, 4842707, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, Nexperia, BST52,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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