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STMicroelectronics STripFET II STP55NF06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin TO-220


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STMicroelectronics STripFET II STP55NF06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin TO-220
Artikel-Nr.:
     822EL-4857715
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP55NF06
EAN/GTIN:
     5059042782226
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = STripFET II

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
50 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
18 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
110 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
STripFET II
Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 4857715, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP55NF06, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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