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| Artikel-Nr.:
822EL-5181485 Herst.-Nr.:
PBSS4140DPN,115 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = TSOP
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 370 mW
Gleichstromverstärkung min. = 300
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 40 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 150 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 1 x 3.1 x 1.7mm
Zweifach-NPN/PNP-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung, Nexperia. Eine Serie von Zweifach-NPN/PNP-Transistoren in BISS-Ausführung (Breakthrough In Small Signal) von NXP mit bipolarem Übergang. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | TSOP | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 370 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 300 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 40 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 150 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 1 x 3.1 x 1.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, 5181485, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS4140DPN,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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