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Nexperia PBSS4160T,215 SMD, NPN Transistor 60 V / 900 mA 220 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

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Produktinformationen

Nexperia PBSS4160T,215 SMD, NPN Transistor 60 V / 900 mA 220 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

Artikel-Nr.:
822EL-5181536

Hersteller:
Nexperia

Herst.-Nr.:
PBSS4160T,215

EAN/GTIN:
5059043421933

Suchbegriffe:

SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor npn

Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 900 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,25 W
Gleichstromverstärkung min. = 250
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 220 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 1 x 3 x 1.4mm

NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.

Weitere Informationen:


Transistor-Typ:	NPN
DC Kollektorstrom max.:	900 mA
Kollektor-Emitter-Spannung:	60 V
Gehäusegröße:	SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ:	SMD
Verlustleistung max.:	1,25 W
Gleichstromverstärkung min.:	250
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:	80 V
Basis-Emitter Spannung max.:	5 V
Arbeitsfrequenz max.:	220 MHz
Pinanzahl:	3
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Abmessungen:	1 x 3 x 1.4mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor sot-23, 5181536, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS4160T,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors

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