|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-5181700 Herst.-Nr.:
PBSS4480X,135 EAN/GTIN:
5059043119625 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V
Gehäusegröße = UPAK
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 2,5 W
Gleichstromverstärkung min. = 250
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 150 MHz
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 1.6 x 4.6 x 2.6mm
NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V | Gehäusegröße: | UPAK | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Gleichstromverstärkung min.: | 250 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 150 MHz | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 1.6 x 4.6 x 2.6mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 5181700, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS4480X,135, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |