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Nexperia PBSS5330X,115 SMD, PNP Transistor –30 V / –3 A 100 MHz, UPAK 4-Pin


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Nexperia PBSS5330X,115 SMD, PNP Transistor –30 V / –3 A 100 MHz, UPAK 4-Pin
Artikel-Nr.:
     822EL-5181946
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PBSS5330X,115
EAN/GTIN:
     5059043913605
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor pnp
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –3 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –30 V
Gehäusegröße = UPAK
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,6 W
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 30 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C

PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
DC Kollektorstrom max.:
–3 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
–30 V
Gehäusegröße:
UPAK
Montage-Typ:
SMD
Verlustleistung max.:
1,6 W
Gleichstromverstärkung min.:
200
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:
30 V
Basis-Emitter Spannung max.:
6 V
Arbeitsfrequenz max.:
100 MHz
Pinanzahl:
4
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 5181946, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS5330X,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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