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| Artikel-Nr.: 822EL-5411613 Herst.-Nr.: IRFU120NPBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 210 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 48 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 210 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 48 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 25 nC @ 10 Vmm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 5411613, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFU120NPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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