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| Artikel-Nr.:
822EL-6710321 Herst.-Nr.:
BSS123 EAN/GTIN:
5060641279802 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 170 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 360 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.3mm
Serie = PowerTrench
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 170 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 360 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.3mm | Serie: | PowerTrench |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, 6710321, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, BSS123, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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