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onsemi PowerTrench FDS8878 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Produktinformationen

onsemi PowerTrench FDS8878 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Artikel-Nr.:
822EL-6710725

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDS8878

EAN/GTIN:
5059042843019

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4mm
Höhe = 1.5mm

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	10,2 A
Drain-Source-Spannung max.:	30 V
Gehäusegröße:	SOIC
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	8
Drain-Source-Widerstand max.:	14 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	1.2V
Verlustleistung max.:	2,5 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Breite:	4mm
Höhe:	1.5mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 6710725, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDS8878, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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