onsemi FQD11P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,4 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 185 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 13 nC @ 10 V
Höhe = 2.3mm

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor. Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten. Eigenschaften und Vorteile:. Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter Zelldesign mit hoher Dichte Hoher Sättigungsstrom Hervorragende Schaltleistung Große robuste und zuverlässige Leistung DMOS-Technologie. Anwendungen:. Lastschaltung DC/DC-Wandler Batterieschutz Stromüberwachungssteuerung Gleichstrommotor-Steuerung