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| Artikel-Nr.:
822EL-6711100 Herst.-Nr.:
NDT452AP EAN/GTIN:
5059042843507 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 22 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -65 °Cmm
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor. Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten. Eigenschaften und Vorteile:. Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter Zelldesign mit hoher Dichte Hoher Sättigungsstrom Hervorragende Schaltleistung Große robuste und zuverlässige Leistung DMOS-Technologie. Anwendungen:. Lastschaltung DC/DC-Wandler Batterieschutz Stromüberwachungssteuerung Gleichstrommotor-Steuerung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 22 nC @ 10 Vmm | Betriebstemperatur min.: | -65 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 6711100, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NDT452AP, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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