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| Artikel-Nr.:
822EL-6867865 Herst.-Nr.:
IXTN22N100L EAN/GTIN:
5059041593427 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 270 nC @ 15 V
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1000 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.5V | Verlustleistung max.: | 700 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 270 nC @ 15 V | Höhe: | 9.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-227, 6867865, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXTN22N100L, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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