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| Artikel-Nr.:
822EL-6875068 Herst.-Nr.:
STD25NF10LT4 EAN/GTIN:
5059042984378 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 35 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 100 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 38 nC @ 5 V
Serie = STripFET II
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 35 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 100 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 38 nC @ 5 V | Serie: | STripFET II |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 6875068, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD25NF10LT4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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