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| Artikel-Nr.: 822EL-7192901 Herst.-Nr.: NTD5867NLT4G EAN/GTIN: 5059042520996 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Verlustleistung max. = 36 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 15 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 36 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 15 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 7192901, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTD5867NLT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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