Infineon CoolMOS C3 SPA07N60C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 32 W, 3-Pin TO-220 FP

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 32 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 21 nC @ 10 V
Höhe = 9.83mm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3