Infineon CoolMOS C6 IPD60R380C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 83 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 32 nC @ 10 V
Serie = CoolMOS C6

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7