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| Artikel-Nr.:
822EL-7609499 Herst.-Nr.:
STB24NM60N EAN/GTIN:
5059042885422 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = MDmesh
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | MDmesh |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 17a, 7609499, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB24NM60N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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