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| Artikel-Nr.:
822EL-7610411 Herst.-Nr.:
STD20NF06LT4 EAN/GTIN:
5059042086621 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -18 V, +18 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 13 nC @ 10 V
Serie = STripFET
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 24 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 60 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -18 V, +18 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 13 nC @ 10 V | Serie: | STripFET |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 7610411, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD20NF06LT4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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