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STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
822EL-7612751

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STF13NM60N

EAN/GTIN:
5059042198393

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 30 nC @ 10 V
Höhe = 16.4mm

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	11 A
Drain-Source-Spannung max.:	600 V
Gehäusegröße:	TO-220FP
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	360 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	25 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	30 nC @ 10 V
Höhe:	16.4mm

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Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, 7612751, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STF13NM60N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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