STMicroelectronics MDmesh STF26NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 165 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 35 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 60 nC @ 10 V
Serie = MDmesh

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics