STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STF3NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 2,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 18 nC @ 10 V
Serie = MDmesh, SuperMESH

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics