|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-7613684 Herst.-Nr.:
MMBFJ112 EAN/GTIN:
5059042735284 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
IDS Drain-Source-Abschaltstrom = min. 5mA
Gate-Source Spannung max. = -35 V
Drain-Gate-Spannung max. = 35V
Transistor-Konfiguration = Einfach
Drain-Source-Widerstand max. = 50 Ω
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOT-23
Pinanzahl = 3
Drain Gate Kapazität = 28pF
Source Gate Kapazität = 28pF
Abmessungen = 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-JFET, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | IDS Drain-Source-Abschaltstrom: | min. 5mA | Gate-Source Spannung max.: | -35 V | Drain-Gate-Spannung max.: | 35V | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 O | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOT-23 | Pinanzahl: | 3 | Drain Gate Kapazität: | 28pF | Source Gate Kapazität: | 28pF | Abmessungen: | 2.92 x 1.3 x 0.93mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 7613684, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, JFET, onsemi, MMBFJ112, Semiconductors, Discrete Semiconductors, JFETs |
| | |
| |