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| Artikel-Nr.:
822EL-7619838 Herst.-Nr.:
FDC6561AN EAN/GTIN:
5059042897517 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 152 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 960 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 3mm
Höhe = 1mm
Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 152 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 960 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 3mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 7619838, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDC6561AN, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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