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onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, TO-220AB 3-Pin Einfach


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-7743439
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     2N6045G
EAN/GTIN:
     5059042788938
Suchbegriffe:
Darlingtontransistor
Schalttransistor
Transistor
schalttransistor npn
Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 100
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 20µA
Abmessungen = 15.75 x 10.28 x 4.82mm

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.:
8 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
100 V
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Gleichstromverstärkung min.:
100
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.:
4,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.:
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.:
2 V
Kollektor-Abschaltstrom max.:
20µA
Abmessungen:
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, onsemi transistor, 7743439, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, 2N6045G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs
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