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| Artikel-Nr.:
822EL-7804761 Herst.-Nr.:
NTS4173PT1G EAN/GTIN:
5059042252033 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 280 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 350 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 1,3 a, 7804761, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTS4173PT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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