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| Artikel-Nr.: 822EL-7863776 Herst.-Nr.: STP110N10F7 EAN/GTIN: 5059042381658 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 110 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 150 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Länge = 10.4mm Höhe = 15.75mm
N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 10.4mm | Höhe: | 15.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a, 7863776, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP110N10F7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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