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onsemi MJE5731G THT, PNP Transistor -350 V / -1 A 2 MHz, TO-220 3-Pin


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onsemi MJE5731G THT, PNP Transistor -350 V / -1 A 2 MHz, TO-220 3-Pin
onsemi MJE5731G THT, PNP Transistor -350 V / -1 A 2 MHz, TO-220 3-Pin
Artikel-Nr.:
     822EL-7905371
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MJE5731G
EAN/GTIN:
     5059042509670
Suchbegriffe:
Schalttransistor
Transistor
schalttransistor pnp
schalttransistor
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = -350 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 40 W
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 350 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 2 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.28 x 4.82 x 15.75mm

Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
DC Kollektorstrom max.:
-1 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
-350 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Verlustleistung max.:
40 W
Gleichstromverstärkung min.:
30
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:
350 V dc
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V
Arbeitsfrequenz max.:
2 MHz
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Abmessungen:
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 7905371, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE5731G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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