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| Artikel-Nr.:
822EL-7905429 Herst.-Nr.:
MJW21196G EAN/GTIN:
5059042275339 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 16 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 250 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 400 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 16.26 x 5.3 x 21.08mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 16 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 250 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 200 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 400 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 16.26 x 5.3 x 21.08mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 7905429, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJW21196G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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