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| Artikel-Nr.:
822EL-7917807 Herst.-Nr.:
STP13N80K5 EAN/GTIN:
5059042485394 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 15.75mm
N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 450 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 190 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 15.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 7917807, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP13N80K5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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