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| Artikel-Nr.:
822EL-7919285 Herst.-Nr.:
STD13NM60ND EAN/GTIN:
5059042476873 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 109 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = FDmesh
N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 380 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 109 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Serie: | FDmesh |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 7919285, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD13NM60ND, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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