|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8021478 Herst.-Nr.:
NTF5P03T3G EAN/GTIN:
5059042368024 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 3,13 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 3,13 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 8021478, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTF5P03T3G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |