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| Artikel-Nr.:
822EL-8022143 Herst.-Nr.:
RFD12N06RLESM9A EAN/GTIN:
5059042494891 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 49 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 2.39mm
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 75 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 49 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 2.39mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 8022143, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, RFD12N06RLESM9A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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