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| Artikel-Nr.:
822EL-8024275 Herst.-Nr.:
NSS40300MDR2G EAN/GTIN:
5059042576580 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –3 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –40 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 783 mW
Gleichstromverstärkung min. = 220
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = -40 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = –7 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Universal-PNP-Transistoren, über 1 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –3 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –40 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 783 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 220 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | -40 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | –7 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 8 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, onsemi transistor, 8024275, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NSS40300MDR2G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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