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| Artikel-Nr.:
822EL-8024559 Herst.-Nr.:
MJW18020G EAN/GTIN:
5059042167535 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 250 W
Gleichstromverstärkung min. = 14
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 1000 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 9 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 450 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 250 W | Gleichstromverstärkung min.: | 14 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 1000 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 9 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, 8024559, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJW18020G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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