|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8047599 Herst.-Nr.:
IXFN132N50P3 EAN/GTIN:
5059041489010 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 112 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,5 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HiperFET, Polar3
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 112 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 39 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,5 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HiperFET, Polar3 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8047599, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN132N50P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |