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| Artikel-Nr.:
822EL-8051996 Herst.-Nr.:
NVF6P02T3G EAN/GTIN:
5059042593556 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 8,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 8,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 8,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 70 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 8,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8051996, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVF6P02T3G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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